Eine Strategie zur Substitution der großen Marken

UTC bietet auf seiner Website ein Kreuzreferenz-Suchwerkzeug (Cross-Reference), mit dem sich schnell das UTC-Äquivalent eines beliebigen Bauteils ermitteln lässt. Abgedeckte Wettbewerberreferenzen umfassen unter anderem Infineon, STMicroelectronics, Vishay, IR, Fairchild/On-Semi, Nexperia, AOS, Rohm und Toshiba. Diese Strategie der direkten Substitution steht im Mittelpunkt der UTC-Produktstrategie. Das Unternehmen arbeitet nach dem IDM-Modell (Integrated Device Manufacturer): Design, Wafer-Fertigung, Packaging und Test werden vollständig intern abgewickelt, in Werken, die nach ISO 9001, ISO 14001 und IATF 16949 zertifiziert sind.

Eine Produktreihe in 11 Unterfamilien

• JFET — Sperrschicht-Feldeffekttransistoren für Schalt- und Niederleistungsverstärkungsanwendungen.

• Combo Power MOSFET — N+P- oder Doppelkanal-Kombinationen in einem einzigen Gehäuse, geeignet für Halbbrückentopologien und platzkritische Anwendungen.

• Trench Power MOSFET (N-CH und P-CH) — Trench-Technologie mit niedrigem Einschaltwiderstand (RDS(on)) für Spannungen von 10 bis 250 V. Diese Bauteile sind direkte Drop-in-Ersatzteile für On-Semi-, AOS-, Rohm- und Toshiba-Referenzen.

• SiC MOSFET (N-CH) — Siliziumkarbid-MOSFETs für Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen: Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solar-Wechselrichter und industrielle Netzteile.

• SGT Power MOS — Shield-Gate-Trench-Technologie (SGT) für verbesserten RDS(on) und höhere Schaltgeschwindigkeit.

• eGaN FET — Galliumnitrid (GaN)-basierte Transistoren für Hochfrequenz- und Hochleistungsdichteanwendungen.

• Planar Power MOSFET (N-CH und P-CH) — Planartechnologie bis 1800 V, mit direkten Äquivalenten zu Vishay-, Infineon (IR)- und Fairchild/On-Semi-Referenzen.

• Fast Body Diode Power MOSFET (N-CH) — MOSFETs mit schneller Body-Diode, ausgelegt für synchrone Gleichrichtertopologien.

• Depletion Mode MOSFET — Normalerweise leitende MOSFETs, eingesetzt in Anlaufschaltungen und Schutzschaltungen.

Ein breites Gehäuseangebot

UTC bietet ein besonders umfangreiches Packaging-Portfolio, das sowohl bedrahtete (THD)– als auch oberflächenmontierte (SMD)-Formate abdeckt, vom klassischen bis zum neuesten Standard. Zu den verfügbaren Gehäusen für Leistungs-MOSFETs gehören unter anderem:

Bedrahtete Gehäuse (THD) — TO-92, TO-126, TO-220 (und Varianten: TO-220F, TO-220B, TO-220FLP, TO-220FJ…), TO-247 (und Varianten), TO-251, TO-252, TO-262, TO-263, TO-277, TO-3P (und Varianten), TO-230.

Kompakte SMD-Gehäuse — SOT-23, SOT-89, SOT-223, SOT-363, SOT-523, SOT-553, SOT-723 sowie DFN-Formate (DFN2020-6, DFN3030-8, DFN5060-8…), PDFN (PDFN3x3, PDFN5x6) und X2DFN (1010, 1616, 8080).

SMD-Leistungsgehäuse — TO-252 (D-PAK), TO-263 (D²-PAK), TO-262 sowie das TOLL-Format (TO-Leadless), verfügbar in den Varianten TOLL-8A und TOLL-8B — ein modernes Niederinduktivitätsgehäuse, das besonders für hochdichte Automotive- und Industrieanwendungen geeignet ist.

UTC entwickelt kontinuierlich neue Hochleistungs- und Miniaturgehäuse als Reaktion auf Markttrends und bietet damit eine vielfältige Palette an Packaging-Optionen — von traditionellen THD-Formaten bis hin zu den neuesten TOLL-Formaten. Maßzeichnungen (PDF) und 3D-Ansichten jedes Gehäuses sind auf der Package-Seite der Website verfügbar.

Ein IDM-Modell als Garant für Verfügbarkeit

UTC betreibt drei Wafer-Fertigungswerke (Taipei, Fuzhou, Xiamen) und ein Packaging- und Testwerk, alle zertifiziert nach ISO 9001, ISO 14001 und IATF 16949. Dieses IDM-Modell gewährleistet die vollständige Kontrolle über Kapazität, Produktion und technologische Unabhängigkeit — ohne Abhängigkeit von externen Foundries. UTC betont seine Fähigkeit, qualitativ hochwertige Produkte ohne End-of-Life-Risiko (EoL) für aktive Referenzen zu liefern.

Anwendungsbereiche

UTC MOSFETs finden Anwendung in Schaltnetzteilen, Photovoltaik-Wechselrichtern, Energiespeichern, Frequenzumrichtern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Unterhaltungselektronik, Beleuchtung, Hausautomation und Automobilelektronik.

Angebot für UTC-Bauteile anfragen

Als autorisierter Vertreter von UTC kann ARTRONIK COMPONENTS die gesamte UTC-MOSFET-Produktreihe beziehen und das passende Äquivalent für Ihr Design ermitteln — schnell und ohne Mindestbestellmengen.

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Über den Hersteller

Wir stellen vor: Unisonic Technologies

Gegründet 1990 und mit Hauptsitz in Taipeh, Taiwan, ist Unisonic Technologies Co., Ltd. (UTC) ein weltweit führendes Unternehmen im Design und in der Herstellung von integrierten Schaltkreisen und Leistungshalbleitern. Mit mehr als 2.300 Mitarbeitern weltweit und Produktionsstätten in Fuzhou und Xiamen arbeitet UTC als vollständig integrierter IDM (Integrated Device Manufacturer) — und kontrolliert jeden Schritt von F&E und Wafer-Fertigung bis hin zu Verpackung, Test und globalem Vertrieb.

UTC besitzt die Zertifizierungen ISO 9001, ISO 14001 und IATF 16949 und gewährleistet gleichbleibende Qualität und Zuverlässigkeit über alle Produktlinien hinweg. Das vertikale Integrationsmodell sichert eine überlegene Stabilität der Lieferkette — ein entscheidender Vorteil auf dem heutigen Markt.

Produktportfolio

Ein komplettes Halbleitersortiment

Der breite UTC-Katalog umfasst sowohl analoge ICs als auch diskrete Leistungskomponenten und deckt das gesamte Spektrum moderner Elektronikdesign-Anforderungen ab.

Analoge ICs Spannungsregler, PWM-Steuer-ICs, Verstärker, Komparatoren, Logik-ICs, Hall-Schalter, Reset-ICs und mehr.

Leistungs-MOSFETs N-Kanal- und P-Kanal-Trench-Leistungs-MOSFETs, Super Junction MOSFETs (SJMOS) für Nieder- und Hochspannungsanwendungen.

Diskrete Bauelemente BJTs, Schnellrückgewinnungsdioden (FRD), TRIACs, SCRs, IGBTs, Schottky-Dioden, Zener-Dioden, Brückengleichrichter und Transienten-Suppressoren.

Interface- & Logik-ICs Spannungsübersetzer, Interface-Treiber-ICs, Transistor-Arrays, Bus-Treiber/Transceiver, Schieberegister, Optokoppler und Audioverstärker.

Anwendungsmärkte

Leistung für jede Branche

UTC-Komponenten sind in einer Vielzahl anspruchsvoller Branchen vertreten, von sauberer Energie bis zur Automobilelektronik.

Warum UTC wählen

Wesentliche Vorteile

Hohe Schaltgeschwindigkeit Fortschrittliche MOSFET- und IGBT-Technologien für schnelle Schaltleistung in leistungskritischen Designs.

Thermische Stabilität Außergewöhnliche thermische Zuverlässigkeit über industrielle und automotive Temperaturbereiche.

Kein End-of-Life (No EoL) Das IDM-Eigentumsmodell der Fertigungsanlagen sichert langfristige Produktverfügbarkeit ohne Abkündigungsrisiko — ein entscheidender Faktor für Designs mit langen Lebenszyklen.

Robuster Schaltkreisschutz Hohe Durchbruchspannung und hohe Stromtragfähigkeit in jedem Bauteil integriert.

Individueller Design-Support Das IC-Designteam von UTC kann Produkte an spezifische Kundenanforderungen anpassen.

Umweltfreundlich & Konform Blei- und halogenfreie Produktoptionen, ISO 14001-Umweltzertifizierung.

Wesentliche Stärken

Vollständige IDM-Vertikalintegration Von der Waferfertigung bis zur Endverpackung — UTC kontrolliert jeden Schritt und gewährleistet Konsistenz, Kapazität und Lieferkettenstabilität.

Zertifizierte Qualität ISO 9001, ISO 14001 und IATF 16949 zertifizierte Einrichtungen, die strengste Industrie- und Automobilnormen erfüllen.

Breites Produktportfolio Tausende von Referenzen aus analogen ICs und diskreten Bauelementen — eine einzige vertrauenswürdige Quelle für Ihre gesamte Stückliste.

Bewährte F&E-Kapazität Kontinuierliche Innovation durch ein engagiertes IC-Designteam, das schnellere und effizientere, marktgerechte Produkte liefert.

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