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Fundada en 1990 en Taipéi, Unisonic Technologies Co., Ltd. (UTC) se ha consolidado como un fabricante de referencia mundial en semiconductores de potencia y circuitos integrados analógicos. Su gama de MOSFETs de potencia (en.unisonic.com.tw) es una de las más completas del mercado, con un espectro excepcionalmente amplio de tecnologías y aplicaciones.
Una estrategia basada en la sustitución de las grandes marcas
UTC ofrece en su sitio web una herramienta de búsqueda por referencia cruzada (cross-reference) que permite identificar rápidamente el equivalente UTC de cualquier componente existente. Las referencias de competidores cubiertas incluyen, entre otras, Infineon, STMicroelectronics, Vishay, IR, Fairchild/On-Semi, Nexperia, AOS, Rohm y Toshiba. Esta estrategia de sustitución directa es el núcleo de la política de producto de UTC, que opera bajo el modelo IDM (Integrated Device Manufacturer): diseño, fabricación de obleas, encapsulado y pruebas se gestionan íntegramente de forma interna, en instalaciones certificadas según ISO 9001, ISO 14001 e IATF 16949.
Una gama estructurada en 11 subfamilias
JFET — Transistores de efecto de campo de unión para aplicaciones de conmutación y amplificación de baja potencia.
Combo Power MOSFET — Combinaciones de canales N+P o dobles en un único encapsulado, adecuadas para topologías de semipuente y aplicaciones donde el espacio es crítico.
Trench Power MOSFET (N-CH y P-CH) — Tecnología de trinchera con baja resistencia en estado de conducción (RDS(on)) para tensiones de 10 a 250 V. Estos componentes son reemplazos directos (drop-in replacements) de referencias On-Semi, AOS, Rohm y Toshiba.
SiC MOSFET (N-CH) — MOSFETs de carburo de silicio para aplicaciones de alta tensión y alta temperatura: cargadores de vehículos eléctricos, inversores solares y fuentes de alimentación industriales.
SGT Power MOS — Tecnología Shield Gate Trench (SGT) para un RDS(on) mejorado y mayor velocidad de conmutación.
eGaN FET — Transistores basados en nitruro de galio (GaN) para aplicaciones de muy alta frecuencia y muy alta densidad de potencia.
Planar Power MOSFET (N-CH y P-CH) — Tecnología planar hasta 1800 V, con equivalentes directos de referencias Vishay, Infineon (IR) y Fairchild/On-Semi.
Fast Body Diode Power MOSFET (N-CH) — MOSFETs con diodo de cuerpo rápido, diseñados para topologías de rectificación síncrona.
Depletion Mode MOSFET — MOSFETs normalmente conductores, utilizados en circuitos de arranque y etapas de protección.
Una amplia gama de encapsulados
UTC ofrece un portfolio de encapsulados especialmente extenso, que cubre tanto formatos de montaje pasante (THD) como de montaje superficial (SMD), desde los más clásicos hasta los más recientes. Entre los encapsulados disponibles para MOSFETs de potencia se encuentran, entre otros:
Encapsulados pasantes (THD) — TO-92, TO-126, TO-220 (y variantes: TO-220F, TO-220B, TO-220FLP, TO-220FJ…), TO-247 (y variantes), TO-251, TO-252, TO-262, TO-263, TO-277, TO-3P (y variantes), TO-230.
Encapsulados SMD compactos — SOT-23, SOT-89, SOT-223, SOT-363, SOT-523, SOT-553, SOT-723, así como formatos DFN (DFN2020-6, DFN3030-8, DFN5060-8…), PDFN (PDFN3x3, PDFN5x6) y X2DFN (1010, 1616, 8080).
Encapsulados SMD de potencia — TO-252 (D-PAK), TO-263 (D²-PAK), TO-262, así como el formato TOLL (TO-Leadless), disponible en variantes TOLL-8A y TOLL-8B — un formato moderno de baja inductancia especialmente adecuado para aplicaciones de automoción e industriales de alta densidad.
UTC desarrolla continuamente nuevos encapsulados de alta potencia y miniaturizados en respuesta a las tendencias del mercado, ofreciendo una gama diversa de opciones de encapsulado, desde los formatos THD tradicionales hasta los últimos formatos TOLL. Las hojas de dimensiones (PDF) y vistas 3D de cada encapsulado están disponibles en la página de encapsulados del sitio web.
Un modelo IDM garante de la disponibilidad
UTC opera tres plantas de fabricación de obleas (Taipéi, Fuzhou, Xiamen) y una instalación de encapsulado y pruebas, todas certificadas según ISO 9001, ISO 14001 e IATF 16949. Este modelo IDM garantiza el control total sobre la capacidad, la producción y la independencia tecnológica, sin dependencia de fundiciones externas. UTC destaca su capacidad de suministrar productos de alta calidad sin riesgo de End-of-Life (EoL) en sus referencias activas.
Aplicaciones
Los MOSFETs de UTC se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones: fuentes de alimentación conmutadas, inversores fotovoltaicos, almacenamiento de energía, variadores de frecuencia, estaciones de carga para vehículos eléctricos, electrónica de consumo, iluminación, domótica y electrónica de automoción.
Solicite un presupuesto para componentes UTC
Como representante autorizado de UTC, ARTRONIK COMPONENTS puede suministrarle toda la gama de MOSFETs UTC e identificar el equivalente adecuado para su diseño, de forma rápida y sin restricciones de cantidad mínima de pedido.
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