UTC (Unisonic Technologies) – Die MOSFET-Produktreihe: Ein vollständiges Angebot für alle Anforderungen der Leistungselektronik

Gegründet 1990 in Taipei, hat sich Unisonic Technologies Co., Ltd. (UTC) als weltweit führender Hersteller von Leistungshalbleitern und analogen integrierten Schaltkreisen etabliert. Die Power-MOSFET-Produktreihe (en.unisonic.com.tw) gehört zu den umfassendsten auf dem Markt und deckt ein außergewöhnlich breites Spektrum an Technologien und Anwendungen ab.

Eine Strategie zur Substitution der großen Marken

UTC bietet auf seiner Website ein Kreuzreferenz-Suchwerkzeug (Cross-Reference), mit dem sich schnell das UTC-Äquivalent eines beliebigen Bauteils ermitteln lässt. Abgedeckte Wettbewerberreferenzen umfassen unter anderem Infineon, STMicroelectronics, Vishay, IR, Fairchild/On-Semi, Nexperia, AOS, Rohm und Toshiba. Diese Strategie der direkten Substitution steht im Mittelpunkt der UTC-Produktstrategie. Das Unternehmen arbeitet nach dem IDM-Modell (Integrated Device Manufacturer): Design, Wafer-Fertigung, Packaging und Test werden vollständig intern abgewickelt, in Werken, die nach ISO 9001, ISO 14001 und IATF 16949 zertifiziert sind.

Eine Produktreihe in 11 Unterfamilien

• JFET — Sperrschicht-Feldeffekttransistoren für Schalt- und Niederleistungsverstärkungsanwendungen.

• Combo Power MOSFET — N+P- oder Doppelkanal-Kombinationen in einem einzigen Gehäuse, geeignet für Halbbrückentopologien und platzkritische Anwendungen.

• Trench Power MOSFET (N-CH und P-CH) — Trench-Technologie mit niedrigem Einschaltwiderstand (RDS(on)) für Spannungen von 10 bis 250 V. Diese Bauteile sind direkte Drop-in-Ersatzteile für On-Semi-, AOS-, Rohm- und Toshiba-Referenzen.

• SiC MOSFET (N-CH) — Siliziumkarbid-MOSFETs für Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen: Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solar-Wechselrichter und industrielle Netzteile.

• SGT Power MOS — Shield-Gate-Trench-Technologie (SGT) für verbesserten RDS(on) und höhere Schaltgeschwindigkeit.

• eGaN FET — Galliumnitrid (GaN)-basierte Transistoren für Hochfrequenz- und Hochleistungsdichteanwendungen.

• Planar Power MOSFET (N-CH und P-CH) — Planartechnologie bis 1800 V, mit direkten Äquivalenten zu Vishay-, Infineon (IR)- und Fairchild/On-Semi-Referenzen.

• Fast Body Diode Power MOSFET (N-CH) — MOSFETs mit schneller Body-Diode, ausgelegt für synchrone Gleichrichtertopologien.

• Depletion Mode MOSFET — Normalerweise leitende MOSFETs, eingesetzt in Anlaufschaltungen und Schutzschaltungen.

Ein breites Gehäuseangebot

UTC bietet ein besonders umfangreiches Packaging-Portfolio, das sowohl bedrahtete (THD)– als auch oberflächenmontierte (SMD)-Formate abdeckt, vom klassischen bis zum neuesten Standard. Zu den verfügbaren Gehäusen für Leistungs-MOSFETs gehören unter anderem:

Bedrahtete Gehäuse (THD) — TO-92, TO-126, TO-220 (und Varianten: TO-220F, TO-220B, TO-220FLP, TO-220FJ…), TO-247 (und Varianten), TO-251, TO-252, TO-262, TO-263, TO-277, TO-3P (und Varianten), TO-230.

Kompakte SMD-Gehäuse — SOT-23, SOT-89, SOT-223, SOT-363, SOT-523, SOT-553, SOT-723 sowie DFN-Formate (DFN2020-6, DFN3030-8, DFN5060-8…), PDFN (PDFN3x3, PDFN5x6) und X2DFN (1010, 1616, 8080).

SMD-Leistungsgehäuse — TO-252 (D-PAK), TO-263 (D²-PAK), TO-262 sowie das TOLL-Format (TO-Leadless), verfügbar in den Varianten TOLL-8A und TOLL-8B — ein modernes Niederinduktivitätsgehäuse, das besonders für hochdichte Automotive- und Industrieanwendungen geeignet ist.

UTC entwickelt kontinuierlich neue Hochleistungs- und Miniaturgehäuse als Reaktion auf Markttrends und bietet damit eine vielfältige Palette an Packaging-Optionen — von traditionellen THD-Formaten bis hin zu den neuesten TOLL-Formaten. Maßzeichnungen (PDF) und 3D-Ansichten jedes Gehäuses sind auf der Package-Seite der Website verfügbar.

Ein IDM-Modell als Garant für Verfügbarkeit

UTC betreibt drei Wafer-Fertigungswerke (Taipei, Fuzhou, Xiamen) und ein Packaging- und Testwerk, alle zertifiziert nach ISO 9001, ISO 14001 und IATF 16949. Dieses IDM-Modell gewährleistet die vollständige Kontrolle über Kapazität, Produktion und technologische Unabhängigkeit — ohne Abhängigkeit von externen Foundries. UTC betont seine Fähigkeit, qualitativ hochwertige Produkte ohne End-of-Life-Risiko (EoL) für aktive Referenzen zu liefern.

Anwendungsbereiche

UTC MOSFETs finden Anwendung in Schaltnetzteilen, Photovoltaik-Wechselrichtern, Energiespeichern, Frequenzumrichtern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Unterhaltungselektronik, Beleuchtung, Hausautomation und Automobilelektronik.

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